Rambus präsentierte schnellere DRAMs

26. Februar 2002, 12:42
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Neue Generation der Arbeitsspeicher soll Daten mit 4,2 GByte/s transportieren können

Der Chip-Hersteller Rambus hat auf dem Intel Developer Forum in San Francisco eine wesentlich schnellere Versionen seiner DRAM-Technologie vorgestellt. Wie das Unternehmen bekannt gab, soll das neue Modell der RDRAM-Serie RIMM4200 heißen. Der Arbeitsspeicher soll neben einem zweiten Speicherkanal auch einen schnelleren Chip aufweisen, dadurch wird die Bandbreite zwischen RAM und Mainboard erhöht.

Datentransport bis zu 4,2 GByte pro Sekunde

Laut Rambus wird der RIMM4200 über zwei 2,1 GByte/s-Speicherkanälen operieren und soll damit insgesamt maximal 4,2 GByte Daten pro Sekunde übertragen können. Im Vergleich dazu erreicht das derzeitige Speichermodell RIMM1600 nach Herstellerangaben mit einem Kanal Transferraten von etwa 1,6 GByte/s.

Kampf zwischen DRAM und SDRAM

Rambus gibt mit seiner Ankündigung der DRAM-Branche wieder neue Impulse. Diese hatte, trotz zahlreicher vielsprechender Performance-Ergebnisse, zuletzt Niederlagen hinnehmen müssen. So setzen etwa AMD und Intel bei neuen Chipsätzen auf die Konkurrenz-Technologie Double Data Rate SDRAM.

Bis 2005 sollen 9,6 GByte pro Sekunde möglich sein

Rambus kündigte an, das neue 4200-Modell im zweiten Quartal 2002 auf den Markt bringen zu wollen. Wenn man die Roadmap des Chip-Herstellers betrachtet, so ist geplant bis 2005 RDRAMs von derzeit 1,6 GByte/s bei 800MHz auf 9,6 GByte/s bei 1200 MHz Geschwindigkeit bringen. Im Vergleich dazu erreichen derzeitgie DDR SDRAM-Bausteine bei 333 MHz-Taktgeschwindigkeit Datentransferraten von 2,7 GByte/s.(red)

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