Neuer Meilenstein in der RAM-Entwicklung

31. Mai 2001, 13:08
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Reduced Latency DRAM (RLDRAM) als neuer Hochleistungsbaustein in der Computerbranche

In einem gemeinsamen Abkommen geben Infineon und Mikron die Zusammenarbeit bei der Entwicklung und Herstellung von Reduced Latency DRAM (RLDRAM) bekannt. Der neue "Super-RAM" soll als Hochleistungs-Speicherbaustein in Anwendungen wie etwa Switches und Routern, die auf schnellen Speicherzugriff angewiesen sind, eingesetzt werden.

Latenzzeit soll deutlich gesenkt werden

Die RLDRAM werden mit Datenraten von bis zu 600 MBit pro Sekunde und Pin arbeiten und sollen eine wesentlich verkürzte Latenzzeit aufweisen. Die Latenzzeit ist die Dauer von Beginn des Speicherzugriffs bis zum Bereitliegen der Daten, diese soll von derzeit üblichen 43,5 ns auf rund 22,9 gesenkt werden. Wann die ersten Speicherbausteine zum Einsatz kommen ist noch nicht bekannt.(red/tecchannel)

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