Neue Schottky-Dioden verringern Schaltungsverluste

5. Februar 2001, 21:24

Statt Silizium- oder Galium-Arsenid wurde bei ihnen Siliziumkarbid verarbeitet.

München - Infineon hat die ersten Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid vorgestellt. Solche Dioden ermöglichen deutlich geringere Schaltungsverluste und höhere Schaltfrequenzen als Dioden aus Silizium- oder Galium-Arsenid. Damit lassen sich nach Angaben von Infineon kleinere und kompaktere Schaltnetzteile mit hoher Zuverlässigkeit herstellen, die zusätzlich ohne Kühlkörper oder Lüfter auskommen.

"Ein wesentlicher Vorteil der von Infineon entwickelten SiC-Technologie ist, dass sie nahezu verlustfrei und sehr schnell schaltende Dioden ermöglicht. Dadurch werden nicht nur die Gesamtverluste reduziert, sondern auch die Zuverlässigkeit erhöht und die Systemkosten gesenkt", erklärt Reinhard Ploss, Leiter des Geschäftsbereiches Automotive & Industrial bei Infineon. Für die Hersteller von Schaltelementen ermöglichen Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) den Einsatz von kleineren Transistoren oder passiven Bauelementen wie Spulen und Kondensatoren. Dadurch können die Systemkosten für Schaltelemente gesenkt werden.

Der Halbleiter hat eine mit Kupfer vergleichbare thermische Leitfähigkeit, weswegen das Material für hochsperrende Leistungsbauelemente geeignet ist. Diese Materialeigenschaften kommen in geringen Leckströmen, geringem On-Widerstand und hohen Stromdichten zum Tragen. So lassen sich mit SiC Dioden mit einer Sperrspannung zwischen 300 und 3.500 Volt realisieren. Infineon wird die SiC-Schottky-Dioden mit Sperrspannungen von 600 Volt sowie 300 Volt in verschiedenen Gehäusen anbieten. Bei einer Abnahme von 10.000 Stück kostet eine Diode mit einer Sperrspannung von 600 Volt 3,50 Euro, eine Diode mit einer Sperrspannung von 300 Volt 7,70 Euro. Die ersten Muster stehen bereits zur Verfügung. Die Serienfertigung soll im April anlaufen. (pte)

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    foto: infineon
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