AT&S erhielt Zertifizierung für neues IC-Substrate-Werk in Chongqing

23. Februar 2016, 14:22
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Serienproduktion mit der ersten Produktionslinie startet – Insgesamt 480 Mio. Euro Investitionen bis Jahresmitte 2017 für IC-Substrate und substrat-ähnliche Leiterplatten

Der börsenotierte Leiterplattenhersteller AT&S expandiert in China. Die Zertifizierung eines neuen IC-Substrate-Werks in Chongqing wurde nach rund 17 Monaten Qualifizierung abgeschlossen, meldete das Unternehmen mit Sitz in Leoben am Dienstag. Die Serienproduktion von IC-Substraten in der ersten Produktionslinie werde noch im 4. Quartal des Geschäftsjahres 2015/16, also bis Ende März, beginnen.

Für den Vorstandschef von AT&S, Andreas Gerstenmayer, ist die Zertifizierung ein "Meilenstein". Nun könne man als erster High-End IC-Substrate-Hersteller in China mit der Serienproduktion starten. Die Substrate-Technologie soll mittelfristig wesentlich zu einem profitablen Wachstum beitragen. In der Hochlaufphase erwartet der CEO jedoch entsprechende Belastungen.

Substrate für Einsatz in Mikroprozessoren

AT&S wird in dem Werk in der zentralchinesischen Stadt Chongqing IC-Substrate, sogenannte Flip Chip Ball Grid Array (FCBGA) Substrate, für den Einsatz in Mikroprozessoren herstellen. IC-Substrate stellen die Verbindungsplattform zwischen Halbleiter (Chips) und Leiterplatten dar, sie "übersetzen" die Nano-Strukturen des Chips auf die Leiterplatte. Zum Einsatz kommen sie bei Mikroprozessoren für Computer, Kommunikation, Automotive und Industrie. Je nach Anwendungsgebiet gibt es verschiedenste Substrat-Technologien mit unterschiedlichen Aufbauten und Leistungsanforderungen.

Die zweite Produktionslinie soll voraussichtlich im 3. Geschäftsquartal 2016/17 (1.10. – 31.12.2016) mit der Serienproduktion starten. Beide Produktionslinien haben eine Kapazität von rund 75.000 m2/Jahr. Rund 1.300 Mitarbeiter sind derzeit im IC-Substrate-Werk in Chongqing beschäftigt, insgesamt werden es für beide Produktionslinien ca. 1.500 sein.

Millioneninvestition

Bis Jahresende 2015 wurden in das IC-Substrate-Werk 195,6 Mio. Euro investiert. Insgesamt sind bis Ende des Geschäftsjahres 2016/17 Investitionen von 280 Mio. Euro geplant. Die mit dem Hochfahren des Werks verbundenen Belastungen beginnen noch im laufenden vierten Geschäftsquartal (1.1. – 31.3.2016) wirksam zu werden. Dies wurde im Ausblick für das Geschäftsjahr 2015/16 bereits berücksichtigt, so das Unternehmen.

Bis Jahresmitte 2017 plant AT&S in Chongqing ein Gesamtinvestment von 480 Mio. Euro für zwei Werke. Davon entfallen 280 Mio. Euro auf zwei Produktionslinien für IC-Substrate (FCBGA-Substrate) und 200 Mio. auf zwei Produktionslinien für substrat-ähnliche Leiterplatten (SLP). (APA, 23.2.2016)

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