Mit der Präsentation seines ersten 512-Mbit-Flash-Speicherchips steigt Infineon in den Flash-Speichermarkt ein. Der in einem Joint-Venture mit Saifun Semiconductors entwickelte NAND-kompatible Chip auf Basis der TwinFlash-Technologie soll es dem Unternehmen ermöglichen, seine Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufzuteilen. Wie Infineon heute, Mittwoch, mitteilte, erlaubt die TwinFlash-Technologie, Flash-Speicher auf dem vorhandenen Equipment aus der DRAM-Fertigung herzustellen. Auf diese Weise könne das Münchner Unternehmen ohne größere Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen in einen neuen Markt einsteigen.

Beste Position

Dieser Markt könnte sich als äußerst attraktiv erweisen. Laut Marktforschungsunternehmen Gartner werden die Umsätze in diesem Bereich weltweit um voraussichtlich 30,8 Prozent von 3,36 Mrd. Dollar im Jahr 2003 auf 4,4 Mrd. Dollar anwachsen. "Der NAND-Flash-Markt wird als das am schnellsten wachsende Speichersegment in den nächsten Jahren angesehen", erklärte Infineon Technologies Flash-Geschäftsführer Peter Kücher. "Mit der Einführung der Twin-Flash-Produktfamilie positioniert sich unser Unternehmen bestens, um von dieser Marktsituation zu profitieren." Schon 2007 will Infineon einen Platz unter den ersten drei Unternehmen in diesem Markt einnehmen.

SD-, MMC- und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks

Die Produktion der Chips ist bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden angelaufen. Der 512-Mbit-Flash-Speicherchip wird im TSOP-Gehäuse angeboten und zielt vor allem auf dem Halbleiter-Wechselspeichermarkt mit Produkten wie SD-, MMC- und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks ab. (pte)