Weltweit führende Halbleiterproduzenten kooperieren

17. Jänner 2000, 12:07

Gemeinsame Entwicklung neuer DRAM-Speicherchips

Wien/München - Die Siemens-Tochter Infineon Technologies AG, München, und fünf andere weltweit führende Halbleiterhersteller, darunter auch Marktführer Intel, wollen die nächste Generation von DRAM-Speicherchip gemeinsam entwickeln.

Infineon, Samsung Electronics Co, Hyundai Electronic Industries Co, NEC Corp, Micron Technology Inc und Prozessoren-Hersteller Intel einigten sich auf eine Kooperation, die einen Standard in der sogenannten "Advanced DRAM Technology" definieren soll. Die neue, vereinheitlichte Chip-Architektur solle bis zum Jahr 2003 zur Marktreife gebracht werden, teilte eine Sprecherin von Infineon mit. In laufenden Arbeitsgruppen soll möglichst kosteneffizient ein standardisiertes technisches Design entwickelt werden, während die Endprodukte weiterhin bei den Herstellern selbst produziert würden.

Das Entwicklungskonsortium sei für andere Halbleiter- und Prozessorenhersteller offen, betonte Hans-Peter Bette, der bei Infineon für internationale Kooperationen zuständig ist. Bette wertete die Vereinbarung als "sehr positiv" für das Unternehmen, das im März an die Börse gebracht werden soll. Nicht zuletzt sei Infineon damit von den Wettbewerbern als einer der wichtigsten fünf Halbleiterhersteller anerkannt worden. (APA/Reuters)

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