IBM und Micron entwickeln flotten "3D-Arbeitsspeicher"

7. Dezember 2011, 14:26
11 Postings

Neue Anordnung von Speicherchips erhöht Geschwindigkeit und senkt Energieverbrauch

IBM und Micron forschen an einer neuen Bauweise für RAM Arbeitsspeicher, um künftig schnellere Übertragungsraten und eine höhere Speicherdichte auf kleinerem Raum zu ermöglichen. Die Idee dahinter ist es, Speicherbausteine nicht nur nebeneinander, sondern auch vertikal aufeinander zu reihen. Eine neue Verbindungstechnologie, through-silicon vias TSV genannt, soll Datenübertragungsraten von bis zu 128 GB/s erlauben. Gleichzeitig werde laut IBM der Energiebedarf um 70 Prozent gegenüber traditionellen RAM-Modulen gesenkt.

In Reichweite

Erwartet wird, dass die Forschung eine Schlüsselrolle bei Samsungs und Microns im Oktober vorgestellter Hybrid Memory Cube-Technologie einnehmen wird. IBM und Micron rechnen, dass die Technologie in etwa zwei Jahren kommerziell verfügbar sein wird. Zunächst dürften aber Server mit den neuartigen Arbeitsspeichern bestückt werden.

Links

IBM

  • Visualisierung eines Hybrid Memory Cube
    foto: ibm

    Visualisierung eines Hybrid Memory Cube

Share if you care.