RAM

IBM und Micron entwickeln flotten "3D-Arbeitsspeicher"

Zsolt Wilhelm, 7. Dezember 2011, 14:26

Neue Anordnung von Speicherchips erhöht Geschwindigkeit und senkt Energieverbrauch

IBM und Micron forschen an einer neuen Bauweise für RAM Arbeitsspeicher, um künftig schnellere Übertragungsraten und eine höhere Speicherdichte auf kleinerem Raum zu ermöglichen. Die Idee dahinter ist es, Speicherbausteine nicht nur nebeneinander, sondern auch vertikal aufeinander zu reihen. Eine neue Verbindungstechnologie, through-silicon vias TSV genannt, soll Datenübertragungsraten von bis zu 128 GB/s erlauben. Gleichzeitig werde laut IBM der Energiebedarf um 70 Prozent gegenüber traditionellen RAM-Modulen gesenkt.

In Reichweite

Erwartet wird, dass die Forschung eine Schlüsselrolle bei Samsungs und Microns im Oktober vorgestellter Hybrid Memory Cube-Technologie einnehmen wird. IBM und Micron rechnen, dass die Technologie in etwa zwei Jahren kommerziell verfügbar sein wird. Zunächst dürften aber Server mit den neuartigen Arbeitsspeichern bestückt werden.

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11 Postings
Daniel P
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11.12.2011, 13:44
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128 GB/s, echt???

wirklich 128GigaByte/s oder doch GigaBit/s und dann doch 128Gb/s?! Wär interessant zu wissen ist doch der Unterschied nicht gering.

Mr. FunkyFresh
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9.12.2011, 08:50
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10 Jahre?
Ohh. Ok...

flonks
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7.12.2011, 22:52
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Und auf das kommen die jetzt? Ich dachte das lief schon immer so. Prozessoren und andere Chips werden ja auch in vielen Schichten gebaut.

00A4002C023F00
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9.12.2011, 20:39
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Die vias gehen normalerweise nur durch das interconnect und nicht durch Silizium.

Aber ja, die Idee ist eher naheliegend.

Franz Josef Lolinger
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7.12.2011, 21:46
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Graphenspeicher wäre besser und noch schneller - hoffentlich kommt dieser auch bald...

Quark
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9.12.2011, 11:01
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Diese Technik ist verglichen mit den ganzen Halbleitersystemen noch fast unerforscht. Ich bezweifle, dass Speicher und Prozessoren auf Basis dieser Technologie in weniger als 30 Jahren auf den Markt kommen.

Im Moment schlägt man sich ja mit dem Problem herum, den Widerstand an der Übergangsstelle von Metall zum Graphen zu senken

Sevyls
 
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01
7.12.2011, 14:46
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Abwärme

Es würde mich sehr intressieren, wie die Abwärme bei höherer Dichte dann rein konzeptuell abgeführt würde.
Die Oberfläche kann dann nur durch Poren vergrößert werden, grad für die Luftkühlung, denke ich.

Tante Herbert
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00
7.12.2011, 23:14
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Hab gelesen die sind *perforiert*...

...die Prototypen waren noch flüssiggekühlt.

Bankdirektor
 
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7.12.2011, 17:10
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Das sind ja keine Zentralprozessoren, sondern Speicherchips ;)

PyroTFD
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7.12.2011, 17:33
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dort wo strom fließt kann klarerweise auch Wärme entstehen

bei derzeitigen Speicherchips ist es nicht so dramatisch, die sind ja auch dünner.

ich glaub aber, Aluminium wird auch im Chip integriert werden, damit eine eventuell erforderliche Kühlung durchgeführt werden kann

suit
 
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04
7.12.2011, 15:04
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Absenken der Kernspannung ist das Zauberwort - das steht ja im Artikel, dass der Energiebedarf um 70 % geringer ausfällt.

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