IBM verspricht 100 Mal schnellere Speicher-Chips in naher Zukunft

30. Juni 2011, 12:28
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PCM-Technologie erstmals erfolgreich getestet - Erste Produkte in fünf Jahren möglich

Wissenschaftler des IBM Forschungszentrums in Zürich haben eine neue Speichertechnologie demonstriert, die einen 100-fach schnelleren Schreibprozess als es bei Flash-Speichern ermöglicht. Der Phase-Change-Memory genannte Speicher (kurz: PCM, deutsch: Phasenwechsel-Speicher) konnte in einem Test erstmals nicht nur einzelne Bits, sondern gleich mehrere Bits pro Speicherzelle sehr zuverlässig über lange Zeiträume speichern.

In den nächsten fünf Jahren

Der Forschungserfolg sei ein bedeutender Schritt hin zur Entwicklung von kosteneffizienten, schnellen und langlebigen Memory-Anwendungen für elektronische Geräte wie zum Beispiel Smartphones, aber auch für Hochleistungs-IT-Systeme für Unternehmen sowie für Cloud-Speicherlösungen. PCM habe aufgrund der erzielbaren Schreib- und Lesegeschwindigkeit in Kombination mit sehr guter Langlebigkeit und hoher Speicherdichte das Potenzial, innerhalb der nächsten fünf Jahre die Speicherlandschaft zu verändern, so IBM. (zw)

Quelle

IBM

  • PCM soll Speicherlandschaft aufwirbeln
    foto: ibm

    PCM soll Speicherlandschaft aufwirbeln

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