CellularRAM von Cypress, Micron und Infineon

17. September 2002, 09:24
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Neue Chips für 3G-Mobiltelefone

Die US-Chipentwickler Cypress und Micron haben ein Abkommen mit der deutschen Infineon unterzeichnet, um gemeinsam CellularRAM-Speicher zu entwickeln. Bei diesen Speicherbausteinen handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für 2.5G- und 3G-Mobiltelefone. Das gab Cypress heute in San Jose im US-Bundesstaat Kalifornien bekannt.

Herkömmliche Nachteile

Während herkömmliche SRAM-Bausteine meist sechs Transistoren pro Speicherzelle brauchen, benötigen CellularRAMs jeweils nur einen Transistor und Kondensator pro Speicher-Bit. CellularRAM soll bei gleicher Kapazität nur etwa ein Zehntel der Fläche eines SRAM benötigen, ist pin-kompatibel zu SRAM und erlaubt den Betrieb ohne externen Refresh. Damit eignet sich CellularRAM gut als Ersatz von asynchronen SRAMs mit geringer Leistungsaufnahme, die derzeit in Mobiltelefonen eingesetzt werden.

Basis

Zielsetzung der Entwicklungskooperation ist es, Anwendern anschluss- und funktionskompatible Produkte von mehreren Anbietern zu liefern, die auf einer gemeinsam definierten CellularRAM Spezifikation basieren. Jedes Unternehmen wird diese Produkte mit seinen eigenen Design- und Prozess-Technologien entwickeln und fertigen.

Die neuen Produkte arbeiten mit Taktraten bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 216 MBit/s (1,6 GBit/s). Zudem unterstützen CellularRAM-Speicher Intel-W18- und Micron-Flash kompatible Burst-Protokolle mit verschiedenen I/O Spannungsoptionen.

Vorstellung

Infineon und Micron wollen verschiedene CellularRAM-Bausteine im Laufe der nächsten 12 Monate einführen. Als erster Baustein wird ein 32-Mbit-Speicher in der Organisation 2 M x 16 gegen Ende 2002 verfügbar sein. Eine 16-Mbit- und eine 64-Mbit-Version, organisiert zu 1 M x 16 bzw. 4 M x 16, werden kurz darauf folgen. Die beteiligten Unternehmen arbeiten gemeinsam an der Definition der nächsten Generation der CellularRAM-Produktfamilie, einem 128-Mbit-Baustein. Erste Muster dieses Speichers sind für die zweite Hälfte 2003 geplant. (pte)

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