Intel-Entwicklerkonferenz zu "Nanotechnologie"

5. September 2002, 15:45
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Multi-Gate-Transistoren für zukünftige Chips

Der Chiphersteller Intel will in der nächsten Woche auf seiner Entwicklerkonferenz der Forschung im Nanotechnologie-Bereich einen wichtigen Platz einräumen. Zurzeit arbeiten die Forscher in den Labors des Konzerns an Multi-Gate-Transistoren und dem Einsatz von Kohlenstoff-Nanoröhrchen in der Halbleiterherstellung. Unternehmensnahen Quellen zufolge sollen außerdem zwei bisher nicht veröffentlichte Projekte der Öffentlichkeit vorgestellt werden, berichtet das US-Onlinemagazin "CNet".

Multi-Gate-Transistoren

Multi-Gate-Transistoren sollen in Chips mit Architekturen unter 90 Nanometern eingesetzt werden, um in solch kleinen, nur mehrere Atome dicken Strukturen, das Überschlagen von Strom auf nahe liegende Elemente zu verhindern. Die Bauweise wurde ursprünglich von Wissenschaftlern bei IBM entwickelt und soll bis 2006 in Massenproduktion herstellbar sein.

Gänzlich andere Chip-Struktur

Mit Nanoröhrchen werden die Architekturen von Chips gänzlich anders aufgebaut sein als heute. Statt bestimmten Metalllegierungen sollen dann wenige Atome dicke Kohlenstoff-Bahnen als Verbindungsmaterial zwischen den Schaltelementen zum Einsatz kommen. Die Entwickler wollen mit der Technologie kleinere, schnellere und stromsparendere Prozessoren bauen als bisher. Bis zur Herstellung solcher Komponenten in größerem Umfang werden allerdings noch einige Jahre vergehen.

Auf der Entwicklerkonferenz will Intel außerdem den Entwicklungsstand bei der Forschung an aktuellen Technologien vorstellen. So zeigt der Konzern Neuerungen am Madison, der einmal der Nachfolger des Itanium II-Chips werden soll, an der Hyperthreading-Technologie und an den Spezifikationen von ATA II zur besseren Verbindung von Festplatten mit anderen Systemkomponenten. (pte)

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